报告题目：芯片异质异构集成与封装

演讲摘要：随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限，延续摩尔定律变得愈发困难，从而产生了先进封装概念。依据不同系统，针对各单元的特殊需求，选择合适的单元，经由先进封装技术重新整合称之为芯片的异质异构集成，这将是后摩尔时代的发展趋势。本报告介绍团队针对芯片的原子级制造与异质异构，在宽禁带薄膜材料生长装备，晶圆级低温混合键合工艺及真空互联等方面进行的探索，并对研究成果在宽禁带半导体薄膜生长与器件集成，以及在三维封装工艺方面的应用进行了简要介绍。

讲者简介：中国科学院院士、美国电气和电子工程师协会会士、美国机械工程师学会会士、武汉大学工业科学研究院执行院长、动力与机械学院院长、微电子学院副院长、教授、博士生导师。微纳制造领域专家，国内芯片封装技术的引领者，在集成电路、发光二极管(LED)、微传感器及电力电子IGBT等芯片封装技术领域的微纳制造科学与工程技术方面取得了系统的创新成果。以第一完成人获国家科学技术进步一等奖、国家技术发明二等奖、教育部发明一等奖、电子学会技术发明一等奖、IEEE国际电子封装学会2009年度杰出技术成就奖(全球年仅1人，国内首人)。1995年获美国总统教授奖 ，1999年国家级海外高层次人才获得者。